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PNU 리서치

'정세영·김승철 교수팀, 반사율 99.7%, 결함 없는 초평탄 은 박막 구현'
광메카트로닉스공학전공 정세영·김승철 교수팀, 반사율 99.7%, 결함 없는 초평탄 은 박막 구현 차세대 반도체 금속박막 새 지평

첨단융합학부 광메카트로닉스공학전공 정세영 명예교수와 김승철 교수 연구팀이 기존 박막 성장 기술의 한계를 뛰어넘는 새로운 초고품질 금속 박막 성장 개념인 ‘Homoepitaxy-like Heteroepitaxy*’를 제시하고, 이를 통해 결함 없는 초평탄 은(Ag) 박막 구현에 성공했다. 이렇게 성장된 은 박막은 반사율이 99.7%에 이르며 결함이 없어, 금속 박막을 새로운 기능성 플랫폼으로 재정의할 수 있는 새로운 가능성을 제시했다. 연구팀의 박막 성장기술(epitaxy**)은 특정 기판에 제한되지 않고 다양한 재료 시스템으로 확장 가능하다는 점에서 산업적 파급력 또한 클 것으로 전망된다.


* Homoepitaxy(호모에피택시): 기판과 동일한 물질 위에 같은 물질을 결정성 있게 성장시키는 에피택시 방법 / Heteroepitaxy(헤테로에피택시): 기판과 서로 다른 물질을 결정 정렬을 유지하며 성장시키는 에피택시 방법.

** Epitaxy(에피택시): 기판(substrate)의 결정 구조를 그대로 따라가며 결정 방향이 정렬된 단결정 박막을 성장시키는 기술.


최근 반도체 기술초고속화와 고집적화가 동시에 요구되면서 기존 금속 배선과 박막 소재의 구조적 한계가 점차 뚜렷해지고 있다. 특히 금속 박막 내부의 낱알경계(grain boundary), 표면 거칠기, 구조적 결함은 전기적 성능 저하와 신뢰성 약화의 주요 원인으로 지적돼 왔다. 이에 따라 단결정 수준의 고품질 금속 박막 성장 기술은 차세대 반도체·광전자 소자 구현을 위한 핵심 연구 과제로 부상하고 있다.


연구팀은 이번 연구에서 기존 박막 성장 개념을 확장한 새로운 접근법인 ‘Homoepitaxy-like Heteroepitaxy’를 제안했다. 이는 단결정 구리(Cu) 박막을 버퍼층으로 활용해, 서로 다른 기판 위에서도 마치 동일 물질 위에서 성장한 것과 유사한 결정성을 확보하는 기술이다.


이 기술은 연구팀이 보유한 Atomic Sputtering Epitaxy(ASE) 기술을 기반으로 한다. 스퍼터링 과정에서 원자들을 개별 원자 단위로 공급함으로써, 서로 다른 기판 위에 금속 박막을 성장시키면서도 원자 배열과 성장 동역학을 정밀하게 제어할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 기존 heteroepitaxy에서 불가피하게 발생하던 격자 불일치와 계면 응력 문제를 최소화하고, 표면 확산과 핵 생성 과정을 정밀하게 조절해 초평탄 표면과 높은 결정성을 동시에 확보했다.


그 결과 연구팀은 낱알경계가 없는 초고품질 은(Ag) 박막을 구현하는 데 성공했다. 이렇게 성장된 은 박막은 반사율이 99.7%에 이르며, 구조적 결함이 거의 없는 수준의 단결정 특성을 보였다. 특히 기존 다결정 금속 박막에서 나타나던 전기적 산란 요인을 크게 줄일 수 있어, 고속·고신뢰성 금속 배선 및 광학·전자 소자용 핵심 소재로 활용될 가능성이 높다.



【Ag/Cu 이종구조에서 급격히 변하는 계면 구조 및 기판 수직 방향에서 관찰한 평면구조】


이번 기술의 가장 큰 강점은 특정 기판에만 국한되지 않고 다양한 재료 시스템으로 확장 가능하다는 점이다. 기존 heteroepitaxy 방식이 가진 구조적 불안정성을 최소화하면서도, 다양한 기판 환경에서 금속 박막을 결함 없는 단결정으로 구현할 수 있어 산업적 파급력이 매우 클 것으로 기대된다. 연구팀은 이번 성과가 다양한 초고품질 금속 박막 성장 영역을 새롭게 개척하는 계기가 될 것으로 보고 있다.


정세영 교수는 “이번 연구에서 개발된 은 박막은 거의 완벽에 가까운 박막”이라며 “이 연구는 금속 박막을 단순한 전도층이 아닌 고기능성 소재로 확장시키는 새로운 방향을 제시한다”고 말했다. 이어 “향후 원자층 단위 성장 제어 기술과 결합될 경우, 차세대 광전자 소자, 고주파 통신 기술, 첨단 반도체 공정 등 다양한 분야에서 폭넓게 활용될 수 있을 것”이라며 “앞으로도 연구실이 보유한 금속 단결정 박막 성장 기술을 바탕으로 새로운 금속 단결정 박막 개발을 지속해 나가겠다”고 밝혔다.


이번 연구는 금속 박막의 성장 메커니즘을 근본적으로 재정의하며, 금속 박막의 물리적 특성과 응용 가능성을 획기적으로 확장한 성과로 주목받고 있다. 연구팀은 이번 성과를 통해 차세대 반도체, 광전자, 고주파 통신 분야에서 요구되는 초고품질 금속 소재 개발을 선도할 것으로 기대하고 있다.



연구진: 왼쪽부터 정세영 명예교수, 김승철 교수, 김수재 박사, 정태인 박사졸업생】


부산대-성균관대 공동으로 수행된 이번 연구는 정세영 명예교수와 김승철 교수가 공동 교신저자, 단결정은행연구소 김수재 박사와 인지메카트로닉스공학과 정태인 박사졸업생이 공동 제1저자로 참여했다. 해당 연구 결과는 재료과학 분야의 세계적 권위 학술지 『Reports on Progress in Physics』 2월 23일자에 게재됐다.


- 논문 제목: Homoepitaxy-like heteroepitaxy via monolayer interface achieves grain-boundary-free ultraflat silver thin films (단원자층 계면 제어로 낱알경계 없는 초평탄 은 박막을 구현한 새로운 Homoepitaxy-like Heteroepitaxy 기술)

- 논문 링크: https://doi.org/10.1088/1361-6633/ae3e3d 


* 상단 연구 이미지: Homoepitaxy-like Heteroepitaxy 성장한 Ag 박막



[Abstract]

Wafer-scale growth of metallic films into single crystals is challenging due to large lattice mismatches and uncontrollable atomic stacking during deposition. Here, single-crystalline Ag(111) films are grown on atomically flat Cu(111) buffer layers using atomic sputtering epitaxy, despite the significant Ag/Cu lattice mismatch (about 13%). The mismatch strain is confined to the first Ag monoatomic interface layer and does not spread into the adjacent Ag layers. This effective strain relaxation occurs through regulated in-plane displacements of Ag atoms where Ag and Cu atoms meet periodically. Although the grain-boundary-free Ag thin films initially exhibited twin boundaries, we successfully demonstrated conditions that significantly reduced them—a feat considered challenging in thin film growth technology. The resulting films have inherently flat surfaces with occasional monoatomic steps, making them ideal for use as reflectors and plasmonic devices.


- Authors (Pusan National University)

· Su Jae Kim (Crystal Bank Research Institute)

· Tae-In Jeong (Department of Cogno-mechatronics Engineering)

· Seungchul Kim, Se-Young Jeong (Department of Cogno-mechatronics Engineering, Department of Optics and Mechatronics Engineering, Engineering Research Center for Color-Modulated Extra-Sensory Perception Technology)

- Title of original paper: Homoepitaxy-like heteroepitaxy via monolayer interface achieves grain-boundary-free ultraflat silver thin films

- Journal: Reports on Progress in Physics

- Web link: https://doi.org/10.1088/1361-6633/ae3e3d 

- Contact e-mail: syjeong@pusan.ac.kr

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